TLE2161IDG4, Операционные усилители JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Операционные усилители JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated
Артикул:
TLE2161IDG4
Производитель:
Описание TLE2161IDG4
| Продукт | Operational Amplifiers |
|---|---|
| Рабочее напряжение питания | 7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V |
| Рабочий ток источника питания | 290 uA |
| Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | TLE2161 |
| Pd - рассеивание мощности | 725 mW |
| ECCN | EAR99 |
| Отключение | No Shutdown |
| Напряжение питания - мин. | 7 V |
| Вес изделия | 76 mg |
| Длина | 4.9 mm |
| Ширина | 3.91 mm |
| Высота | 1.58 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | BiFET |
| Особенности | Decompensated |
| Напряжение питания - макс. | 36 V |
| Тип входа | Rail-to-Rail |
| Vos - Входное напряжение смещения нуля | 3 mV |
| Ib - Входной ток смещения | 60 pA |
| Минимальное напряжение сдвоенного питания | +/- 3.5 V |
| Тип питания | Single, Dual |
| CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала | 72 dB to 90 dB |
| Vcm - Синфазное напряжение | Negative Rail + 4 V to Positive Rail - 2 V |
| Тип усилителя | Low Power Amplifier |
| GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 5.8 MHz |
| SR - скорость нарастания выходного напряжения | 10 V/us |
| en - Интенсивность шума входного напряжения | 59 nV/sqrt Hz |
| Напряжение сдвоенного питания | +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V |
| In - плотность тока шума на входе | 0.001 pA/sqrt Hz |
| Максимальное напряжение сдвоенного питания | +/- 18 V |
| Усиление по напряжению, дБ | 98.06 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара