NSVEMX1DXV6T1G, Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
Артикул:
NSVEMX1DXV6T1G
Производитель:
Описание NSVEMX1DXV6T1G
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Серия | EMX1 |
Квалификация | AEC-Q101 |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Вес изделия | 3 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара