IPB031N08N5ATMA1, МОП-транзистор N-Ch 80V 120A D2PAK-2
Описание IPB031N08N5ATMA1
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Серия | OptiMOS 5 |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | OptiMOS |
Вес изделия | 4 g |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Длина | 10 mm |
Ширина | 9.25 mm |
Высота | 4.4 mm |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Pd - рассеивание мощности | 167 W |
Количество каналов | 1 Channel |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.7 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
Qg - заряд затвора | 87 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 12 ns |
Время нарастания | 18 ns |
Типичное время задержки выключения | 37 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 76 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара