EMX52T2R, Биполярные транзисторы - BJT NPN+NPN Driver Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание EMX52T2R
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 3 mg |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at 1 mA at 6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара