SIZ980DT-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIZ980DT-T1-GE3
| Количество каналов | 2 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerPAIR-6x5-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SIZ |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W, 66 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 99 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A, 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.7 mOhms, 1.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V, 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC, 77 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 6 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S, 155 S |
| Время спада | 10 ns, 10 ns |
| Время нарастания | 65 ns, 75 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns, 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns, 35 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара