PHPT60610NYX, Биполярные транзисторы - BJT 10A NPN High Power Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 10A NPN High Power Bipolar Transistor
Артикул:
PHPT60610NYX
Производитель:
Описание PHPT60610NYX
| Вес изделия | 74.700 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | LFPAK-56-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 410 at 500 mA, 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 240 at 500 mA, 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара