SI8824EDB-T2-E1, МОП-транзистор 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI8824EDB-T2-E1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | MicroFoot-4 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 60.700 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Длина | 1.6 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Высота | 0.65 mm |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V, + 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара