SISS92DN-T1-GE3, МОП-транзистор 250V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Описание SISS92DN-T1-GE3
Вес изделия | 355.649 mg |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8SH-8 |
Коммерческое обозначение | TrenchFET;PowerPAK |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 65.8 W |
Время спада | 6 ns |
Время нарастания | 4 ns |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Id - непрерывный ток утечки | 12.3 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 173 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Qg - заряд затвора | 16 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 17 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара