2SC4102U3HZGT106S, Биполярные транзисторы - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
Описание 2SC4102U3HZGT106S
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара