IRF840BPBF, МОП-транзистор 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IRF840BPBF
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IRF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Технология | Si |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара