HN1B04FE-GR,LF, Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Код товара: 10267612
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
7,20 руб.
Нет в наличии
Описание HN1B04FE-GR,LF
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | HN1B04 |
| Вес изделия | 3 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz, 80 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Способы доставки в Калининград
Доставка HN1B04FE-GR,LF , Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 663 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 304 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2583 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара