SI1965DH-T1-E3, МОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs SC70-6
Код товара: 10265066
Цена от:
41,96 руб.
Нет в наличии
Описание SI1965DH-T1-E3
| Вес изделия | 28 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SI1 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 390 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Qg - заряд затвора | 4.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SI1965DH-T1-E3 , МОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs SC70-6
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара