STLD128DNT4, Биполярные транзисторы - BJT NPN power transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN power transistor
Артикул:
STLD128DNT4
Производитель:
Описание STLD128DNT4
Упаковка / блок | DPAK-3 |
---|---|
Серия | STL128DN |
Вес изделия | 260.400 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Длина | 6.2 mm |
Ширина | 6.6 mm |
Высота | 2.4 mm |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 18 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 10 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара