IPL60R299CP, МОП-транзистор N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP
Артикул:
IPL60R299CP
Производитель:
Описание IPL60R299CP
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | CoolMOS CE |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 187.720 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 8 mm |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Ширина | 8 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Упаковка / блок | VSON-4 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 96 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 299 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара