2SC3646T-TD-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 100V

Код товара: 10262888

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2SC3646T-TD-E
Производитель:

Описание 2SC3646T-TD-E

Серия2SC3646
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия51.300 mg
ECCNEAR99
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
КонфигурацияSingle
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1 V

Способы доставки в Калининград

Доставка 2SC3646T-TD-E , Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 100V в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.