SI1926DL-T1-GE3, МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs SC70-6
Код товара: 10260493
Цена от:
32,98 руб.
Нет в наличии
Описание SI1926DL-T1-GE3
Серия | SI1 |
---|---|
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Вес изделия | 7.500 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Конфигурация | Dual |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.1 mm |
Ширина | 1.25 mm |
Количество каналов | 2 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Pd - рассеивание мощности | 510 mW |
Технология | Si |
Время спада | 14 ns |
Время нарастания | 12 ns |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Id - непрерывный ток утечки | 370 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Qg - заряд затвора | 1.4 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 13 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 159 ms |
Способы доставки в Калининград
Доставка SI1926DL-T1-GE3 , МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs SC70-6
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара