TLP385(GR,E, Транзисторные выходные оптопары GaAs Infrared and Photo-Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Транзисторные выходные оптопары GaAs Infrared and Photo-Transistor
Артикул:
TLP385(GR,E
Производитель:
Описание TLP385(GR,E
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SO-6-4 |
| Упаковка | Tube |
| Тип выхода | Phototransistor |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | 1 Channel |
| If - прямой ток | 10 mA |
| Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
| Vr - обратное напряжение | 5 V |
| Время нарастания | 2 us |
| Время спада | 3 us |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Коэффициент передачи по току | 300 % |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара