2SC6017-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 10A 50V
Описание 2SC6017-E
Упаковка | Bulk |
---|---|
Вес изделия | 4 g |
ECCN | EAR99 |
Серия | 2SC6017 |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 180 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара