NSS20201MR6T1G, Биполярные транзисторы - BJT 2A 20V Low VCEsat
Код товара: 10255416
Цена от:
40,57 руб.
Нет в наличии
Описание NSS20201MR6T1G
Серия | NSS20201MR6 |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 3 mm |
Ширина | 1.5 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 20 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TSOP-6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Полярность транзистора | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 460 mW |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка NSS20201MR6T1G , Биполярные транзисторы - BJT 2A 20V Low VCEsat
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара