TCET1109G, Транзисторные выходные оптопары Phototransistor Out Single CTR 200-400%
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Транзисторные выходные оптопары Phototransistor Out Single CTR 200-400%
Артикул:
TCET1109G
Производитель:
Описание TCET1109G
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Упаковка | Tube |
| Высота | 3.6 mm |
| Длина | 4.75 mm |
| Ширина | 6.3 mm |
| Вес изделия | 562.620 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | PDIP-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 265 mW |
| Vf - прямое напряжение | 1.6 V |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Тип выхода | NPN Phototransistor |
| If - прямой ток | 60 mA |
| Время спада | 4.7 us |
| Время нарастания | 3 us |
| Конфигурация | 1 Channel |
| Vr - обратное напряжение | 6 V |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 70 V |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коэффициент передачи по току | 400 % |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара