CSD18542KCS, МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
Артикул:
CSD18542KCS
Производитель:
Описание CSD18542KCS
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | CSD18542KCS |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 16.51 mm |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Время нарастания | 5 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 198 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара