NTMFS5C670NLT1G, МОП-транзистор NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NTMFS5C670NLT1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 61 W |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 60 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 71 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 82 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара