IPN80R3K3P7ATMA1, МОП-транзистор LOW POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPN80R3K3P7ATMA1
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 116 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 6.1 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 5.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 40 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара