STH410N4F7-2AG, МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STH410N4F7-2AG
| Серия | STH410N4F7-2AG |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | H2PAK-2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Вес изделия | 4 g |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 365 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 44.2 ns |
| Время нарастания | 198 ns |
| Типичное время задержки выключения | 108 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара