SIHD12N50E-GE3, МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Код товара: 10235657
Цена от:
255,34 руб.
Нет в наличии
Описание SIHD12N50E-GE3
Вес изделия | 1.438 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Bulk |
Серия | E |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 114 W |
Время спада | 12 ns |
Время нарастания | 16 ns |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 10.5 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 25 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 29 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHD12N50E-GE3 , МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 858 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 757 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара