SI3469DV-T1-GE3, МОП-транзистор 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI3469DV-T1-GE3
| Серия | SI3 |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 51 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара