NSVMMBT5087LT1G, Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
Артикул:
NSVMMBT5087LT1G
Производитель:
Описание NSVMMBT5087LT1G
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Квалификация | AEC-Q101 |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес изделия | 8 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at - 100 uA at - 5 VDC |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 at - 100 uA at - 5 VDC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара