TK65G10N1.RQ, МОП-транзистор UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
Артикул:
TK65G10N1.RQ
Производитель:
Описание TK65G10N1.RQ
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 10.4 mm |
| Длина | 10 mm |
| Серия | TK65G10N1 |
| Ширина | 4.5 mm |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 19 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 136 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 44 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 81 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара