FCP190N65S3R0, МОП-транзистор SUPERFET3 650V TO220 PKG
Описание FCP190N65S3R0
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | SuperFET3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 2.030 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Qg - заряд затвора | 33 nC |
Pd - рассеивание мощности | 144 W |
Канальный режим | Enhancement |
Время нарастания | 16 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel SuperFET III MOSFET |
Время спада | 6 ns |
Типичное время задержки выключения | 42 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара