FGY120T65SPD-F085, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3
Артикул:
FGY120T65SPD-F085
Производитель:
Описание FGY120T65SPD-F085
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | FGY120T65S_F085 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес изделия | 6.100 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Pd - рассеивание мощности | 882 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 240 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 240 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара