STL3NM60N, МОП-транзистор N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
Артикул:
STL3NM60N
Производитель:
Описание STL3NM60N
| Упаковка / блок | PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8 |
|---|---|
| Серия | STL3NM60N |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 6.2 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 20.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара