CSD87312Q3E, МОП-транзистор Dual 30V N-CH NexFET Pwr МОП-транзисторs
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Dual 30V N-CH NexFET Pwr МОП-транзисторs
Артикул:
CSD87312Q3E
Производитель:
Описание CSD87312Q3E
| Серия | CSD87312Q3E |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Вес изделия | 31.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Время спада | 2.9 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Время нарастания | 16 ns |
| Упаковка / блок | VSON-8 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Qg - заряд затвора | 6.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.8 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 39 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара