BPX 43-3/4, Фототранзисторы PHOTODIODE
Описание BPX 43-3/4
Минимальная рабочая температура | 40 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Квалификация | AEC-Q101 |
Высота | 6.2 mm |
Длина | 5.6 mm |
Продукт | Phototransistors |
Тип | Silicon NPN Phototransistor |
Ширина | 5.6 mm |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 300 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-18 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Pd - рассеивание мощности | 220 mW |
Пиковая длина волны | 880 nm |
Темновой ток | 20 nA |
Время нарастания | 15 us |
Угол половинной интенсивности | 15 deg |
Время спада | 15 us |
Длина волны | 880 nm |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
Цвет/форма линзы | Clear |
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 50 mA |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
Слабый ток | 4 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара