SIHF640S-GE3, МОП-транзистор 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Код товара: 10221022
Цена от:
222,46 руб.
Нет в наличии
Описание SIHF640S-GE3
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 7.152 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 36 ns |
| Время нарастания | 51 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 70 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.7 S |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHF640S-GE3 , МОП-транзистор 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара