PBSS4112PAN,115, Биполярные транзисторы - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor
Код товара: 10220309
Цена от:
37,75 руб.
Нет в наличии
Описание PBSS4112PAN,115
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 7.265 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DFN2020-6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1450 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 375 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 240 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90 mV |
Способы доставки в Калининград
Доставка PBSS4112PAN,115 , Биполярные транзисторы - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара