FDP023N08B-F102, МОП-транзистор FET 80V 2.7 MOHM TO220
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FDP023N08B-F102
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FDP023N08B |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес изделия | 2.346 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 245 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 56 ns |
| Время нарастания | 71 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 242 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.96 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 111 ns |
| Типичное время задержки при включении | 41 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.8 V |
| Qg - заряд затвора | 150 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 185 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара