FQI4N90TU, МОП-транзистор 900V N-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FQI4N90TU
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FQI4N90 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 7.88 mm |
| Длина | 10.29 mm |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Тип | MOSFET |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вес изделия | 2.084 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.13 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 40 ns |
| Время нарастания | 70 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара