STW58N65DM2AG, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Код товара: 10219118
Цена от:
1 769,05 руб.
Нет в наличии
Описание STW58N65DM2AG
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | STW58N65DM2AG |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Квалификация | AEC-Q101 |
Высота | 5.15 mm |
Длина | 20.15 mm |
Продукт | Power MOSFETs |
Тип | High Voltage |
Ширина | 15.75 mm |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 38 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 88 nC |
Pd - рассеивание мощности | 360 W |
Канальный режим | Enhancement |
Время нарастания | 31 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 7.7 ns |
Типичное время задержки выключения | 157 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка STW58N65DM2AG , МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара