STW58N65DM2AG, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STW58N65DM2AG
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STW58N65DM2AG |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Высота | 5.15 mm |
| Длина | 20.15 mm |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Тип | High Voltage |
| Ширина | 15.75 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 360 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 31 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 7.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 157 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара