FJP13009H2TU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor

Код товара: 10218889

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FJP13009H2TU
Производитель:

Описание FJP13009H2TU

Упаковка / блокTO-220-3
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаThrough Hole
Длина10.1 mm
Ширина4.7 mm
Высота9.4 mm
СерияFJP13009
УпаковкаTube
Вес изделия1.800 g
ECCNEAR99
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности100 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)700 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Максимальный постоянный ток коллектора12 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)4 MHz
Непрерывный коллекторный ток12 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V

Способы доставки в Калининград

Доставка FJP13009H2TU , Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 824
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.