FJP13009H2TU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Артикул:
FJP13009H2TU
Производитель:
Описание FJP13009H2TU
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 10.1 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 9.4 mm |
| Серия | FJP13009 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 12 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара