BCW66HQTA, Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Артикул:
BCW66HQTA
Производитель:
Описание BCW66HQTA
ECCN | EAR99 |
---|---|
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 24 g |
Квалификация | AEC-Q101 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара