PBSS8510PA,115, Биполярные транзисторы - BJT 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
Артикул:
PBSS8510PA,115
Производитель:
Описание PBSS8510PA,115
Упаковка | Reel |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | SOT-1061-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Длина | 2.1 mm |
Ширина | 2.1 mm |
Высота | 0.61 mm |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 285 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Непрерывный коллекторный ток | 5.2 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара