SI2371EDS-T1-GE3, МОП-транзистор -30V Vds 12V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI2371EDS-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Время нарастания | 8 ns |
| Время спада | 52 ns |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.7 W |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Qg - заряд затвора | 22.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 52 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара