STGWA30M65DF2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Name: STGWA30M65DF2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Brand: ST Microelectronics
SKU: 10216971
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Код товара: 10216971

Дата обновления: 02.12.2021 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка STGWA30M65DF2 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание STGWA30M65DF2

Серия	STGWA30M65DF2
Вес изделия	2 g
ECCN	EAR99
Упаковка	Tube
Технология	Si

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← 45111-0601 1206PC102KAT1A →