STIB1060DM2T-L, Дискретные полупроводниковые модули PTD IGBT & IPM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули PTD IGBT & IPM
Артикул:
STIB1060DM2T-L
Производитель:
Описание STIB1060DM2T-L
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | SLLIMM |
| Вес изделия | 9.160 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Рабочее напряжение питания | 450 V |
| Серия | STIB1060DM2T-L |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | SDIP2B-26L |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Тип | 3-Phase Inverter |
| Конфигурация | High Side, Low Side |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Vf - прямое напряжение | 0.98 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms |
| Типичное время задержки выключения | 1040 ns |
| Типичное время задержки при включении | 560 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара