STGP4M65DF2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Артикул:
STGP4M65DF2
Производитель:
Описание STGP4M65DF2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STGP4M65DF2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 8 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 8 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 uA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара