NVMD3P03R2G, МОП-транзистор PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVMD3P03R2G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | NTMD3P03 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 540 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.05 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара