STGIPQ3H60T-HL, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Артикул:
STGIPQ3H60T-HL
Производитель:
Описание STGIPQ3H60T-HL
| Серия | STGIPQ3H60T-HL |
|---|---|
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Коммерческое обозначение | SLLIMM |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вес изделия | 4 mg |
| Упаковка / блок | N2DIP-26 |
| Упаковка | Tube |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Технология | SiC |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 3 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара