EMX1DXV6T1G, Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V Dual NPN
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V Dual NPN
Артикул:
EMX1DXV6T1G
Производитель:
Описание EMX1DXV6T1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | EMX1 |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 3 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Длина | 1.6 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Высота | 0.55 mm |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара