NSVBC850BLT1G, Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
Артикул:
NSVBC850BLT1G
Производитель:
Описание NSVBC850BLT1G
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Серия | BC846ALT1 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Квалификация | AEC-Q101 |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес изделия | 8 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара