STGWT40V60DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Код товара: 10209150
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
628,13 руб.
Нет в наличии
Описание STGWT40V60DF
| Упаковка / блок | TO-3P |
|---|---|
| Серия | STGWT40V60DF |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 283 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.35 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGWT40V60DF , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 793 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара